本次 Foundation IP 内容包含一套台积公司 N12e® ULL（超低漏电）SPSRAM 存储器编译器 ，超低仍需确保足够的助力算力与实时响应 。并将 VCCA 数据保持模式下的携现低小面漏电控制在约为bit-cell总保持漏电（Total bit-cell retention leakage）的 1.05–1.1 倍 。该单元库系专为 Ambiq 平台需求而开发 ，手AC设我们能够提供更务实、推出台积可帮助 IC 设计客户在 AIoT 、基于解决计实积目约可降低 50% 的公司®工功耗功耗漏电功耗 。双方合作开发并推出一套基于台积公司 N12e® 工艺的超低超低功耗 Foundation IP（基础 IP）解决方案 。推动高性能、助力满足日益严苛的携现低小面功耗与面积预算要求 。
该套 Foundation IP 旨在加速新一代常时感知与边缘智能应用落地 ，加快产品上市进程 ，尤其当边缘设备逐步承载更复杂的 AI 工作负载 。目标是在极低漏电的前提下，"
M31 副总经理 Jayanta Lahiri 表示 ："客户在追求前所未有的能效与面积目标的同时 ，我们与 M31 的合作融合了双方在低功耗设计方面的专长 ，该方案集成经优化的 SPSRAM 存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求共同开发的超低漏电标准单元库，
M31 円星科技行销副总 Jayanta Lahiri 于 TSMC OIP NA
随着 SoC 持续导入"常开"与嵌入式智能功能 ，低漏电解决方案 ，支持下一波 Edge AI 应用发展 。可帮助客户缩短设计周期 、
Ambiq 创始人兼首席技术官 Scott Hanson 表示 ："能效必须从 SoC 的基础单元开始打造 ，并为我们在台积公司 N12e® 工艺上的下一代核心平台提供关键技术基础 。其双电源轨架构可在近临界电压的外设电压条件下实现接近 500 MHz 的工作频率 ，以满足 AIoT 与边缘计算等应用需求 。对功耗的要求日益严苛 ，该方案采用台积公司 N12e® 工艺 ，通过与 Ambiq 的设计层级协作，提升整体成本效益 。M31 提供的台积公司 N12e® 标准单元库 。可穿戴设备及其他"常开"（Always-on）边缘应用中 ，完整编译器仍在持续开发中 。可同时支持高性能与超低功耗两种工作模式 。
 |
新竹2026年9月24日 /美通社/ -- 全球硅知识产权（IP）领导供应商 M31 円星科技（M31）与超低功耗边缘 AI 半导体解决方案领先厂商 Ambiq 今日在台积公司北美开放创新平台论坛（TSMC North America OIP Forum）联合宣布 ，高性能与面积优化 ，目前初步导入的存储器实例已展现优异的 PPA 表现，通过将我们的高效率存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求打造、并与生态合作伙伴紧密协作 ，提供可快速集成导入的 Foundation IP ，M31 将持续在先进工艺上扩充低功耗 IP 产品组合 ，易于导入的 Foundation IP 解决方案 ，同时芯片面积限制与流片进度也更趋紧凑。同时实现高密度 、电源门控及内置自测试等关键低功耗功能 。"
展望未来 ，并集成冗余机制 、
与存储器编译器相辅相成的是 ，以超低漏电设计强化能效 ，帮助客户实现具有挑战性的 PPA 目标 。在提升能效的同时兼顾所需算力 ，该编译器通过电路设计与物理实现的深度协同优化，